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大容量MRAM是高存储密度的磁阻数据存储器，由一个或多个MRAM基片采用立体封装工艺堆叠而成。广泛应用于航空航天领域嵌入式计算机系统。
技术参数：
总容量：1M~64M;
访问速度：最快达40ns；
数据宽度：8位，16位，32位，40位；
电源电压：3.3V；
典型产品辐照指标：
TID: >50 krad（Si）
SEL: <75 Mev·cm(2)/mg
SEU: >15 Mev·cm(2)/mg
工作温度：-45℃~95℃。
产品列表：
# | MRAM | 存储容量（bit） | 存储组织 | 电压 | 访问速度 | 抗辐射 | 封装 | 温度等级 | 筛选等级 | 质量等级 | ||
TID 1) | SEL 2) | SEU 3) | ||||||||||
1 | VDMR1M08xS44xx1V35 | 1M | 128k*8 | 3.3V | 35ns | >60 | <40 | >37 | SOP44 | E,I ,S | E,B ,S | EE,IB,SS |
2 | VDMR2M16xS54xx2V35 | 2M | 128k*16 | 3.3V | 35ns | >50 | <40 | >75 | SOP54 | E,I ,S | E,B ,S | EE,IB,SS |
3 | VDMR4M08xS44xx1V35 | 4M | 512k*8 | 3.3V | 40ns | TBD | YBD | TBD | SOP44 | E,I ,S | E,B ,S | EE,IB,SS |
4 | VDMR4M08xS44xx4V35 | 4M | 512k*8 | 3.3V | 40ns | >50 | ＞75 | >15 | SOP44 | E,I ,S | E,B ,S | EE,IB,SS |
5 | VDMR4M16xS44xx1V35 | 4M | 256k*16 | 3.3V | 40ns | TBD | TBD | TBD | SOP44 | E,I ,S | E,B ,S | EE,IB,SS |
6 | VDMR8M32xS68xx8V35 | 8M | 256k*32 | 3.3V | 40ns | >50 | ＞80.3 | >9.3,＜14.2 | SOP68 | E,I ,S | E,B ,S | EE,IB,SS |
7 | VDMR10M40xS96xx5V35 | 10M | 256k*40 | 3.3V | 40ns | >50 | ＞80.3 | >9.3,＜14.2 | SOP96 | E,I ,S | E,B ,S | EE,IB,SS |
8 | VDMR16M08xS44xx1V35 | 16M | 2M*8 | 3.3V | 40ns | >50 | ＞75 | >15 | SOP44 | E,I ,S | E,B ,S | EE,IB,SS |
9 | VDMR16M08xS54xx4V35 | 16M | 2M*8 | 3.3V | 40ns | TBD | TBD | TBD | SOP54 | E,I ,S | E,B ,S | EE,IB,SS |
10 | VDMR20M40xS84xx5V35 | 20M | 512k*40 | 3.3V | 40ns | TBD | TBD | TBD | SOP84 | E,I ,S | E,B ,S | EE,IB,SS |
11 | VDMR64M08xS54xx4V35 | 64M | 8M*8 | 3.3V | 40ns | ＞50 | ＞75 | ＞15 | SOP54 | E,I,S | E,B,S | EE,IB,SS |
1)、TID:Total Dose（Krads(Si)）
2)、SEL: LET Threshold（Mev.cm(2)/mg）
3)、SEU:SEU Threshold （Mev.cm(2)/mg）
