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VD3D系列大容量DDR3存储器，由单片或多片DDR3基片采用立体封装工艺进行堆叠而成。其高可靠、小型化的特性广泛应用于航空航天领域嵌入式计算机系统。
技术参数：
总容量：16Gb;
频率：最高达800MHz；
位宽：16bit，72bit；
电源电压：1.5V，兼容1.35V；
封装：BGA96、BGA199
典型产品辐照指标：
TID: 100 krad（Si）
SEL: 60Mev·cm2/mg
SEU: 0.4Mev·cm2/mg
工作温度：
0~70℃
-40℃~+85℃
-40℃~+105℃
产品列表：
# | DDR3 | 存储 容量 | 存储 组织 | 电压 | 频率 | 抗辐射 | 封装 | 温度 等级 | 筛选 等级 | 质量 等级 | ||
TID 1 | SEL 2 | SEU 3 | ||||||||||
1 | VD3D16G16xB96xx2WH | 16Gb | 1Gx16 | 1.5V、1.35V | 667MHz | 100 | 60 | 0.4 | BGA96 | E、I、S | E、B、S | EE、IB、SS |
2 | VD3D16G72XB199XX2WH | 16Gb | 256M*72 | 1.5V、1.35V | 667MHz | 100 | 60 | 0.4 | BGA199 | E、I、S | E、B、S | EE、IB、SS |
1、TID: Total Dose（Krads(Si)）
2、SEL: LET Threshold（Mev.cm2/mg）
3、SEU:SEU Threshold （Mev.cm2/mg）
