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大容量DDR1是高速、高存储密度的同步动态随机访问数据存储器，由1个或多个DDR1基片采用立体封装工艺堆叠而成。广泛应用于航空航天领域嵌入式计算机系统。
产品特性：
总容量：1G~8G;
访问速度：最快达7.5ns；
数据宽度：8位，16位，72位；
电源电压：2.5V；
典型产品辐照指标：
TID: ＞50 krad（Si）
SEL: ＞80 Mev·cm(2)/mg
SEU: ＞0.7 Mev·cm(2)/mg
工作温度：-55℃~105℃。
# | DDR1 | 存储容量（bit） | 存储组织 | 电压 | 访问速度 | 抗辐射 | 封装 | 温度等级 | 筛选等级 | 质量等级 | ||
TID (1) | SEL (2) | SEU (3) | ||||||||||
1 | VD1D1G16xS66xx1T7B | 1G | 64M*16 | 2.5V | 7.5 ns | >50 | >80 | >0.7 | SOP66 | E、I、S | E、B、S | EE、IB、SS |
2 | VD1D2G16xS66xx2T7B | 2G | 128M*16 | 2.5V | 7.5 ns | >50 | >80 | >0.7 | SOP66 | E、I、S | E、B、S | EE、IB、SS |
3 | VD1D2G32xS86xx2T7B | 2G | 64M*32 | 2.5V | 7.5 ns | >50 | >80 | >0.7 | SOP86 | E、I、S | E、B、S | EE、IB、SS |
4 | VD1D8G08xS66xx8T7B | 8G | 1G*8 | 2.5V | 7.5 ns | >50 | >80 | >0.7 | SOP66 | E、I、S | E、B、S | EE、IB、SS |
5 | VD1D8G08xS66xx8T7B-Ⅱ | 8G | 1G*8 | 2.5V | 7.5 ns | >50 | >80 | >0.7 | SOP66 | E、I、S | E、B、S | EE、IB、SS |
6 | VD1D8G16xS78xx8T7B | 8G | 512M*16 | 2.5V | 7.5 ns | >50 | >80 | >0.7 | SOP78 | E、I、S | E、B、S | EE、IB、SS |
