考夫曼离子源具有高能低束流，能流密度较低，出射角度较小等特点，适合于镀制较小面积的光学器件，但使用成本较高。考夫曼离子源特别适用与中远红外镀膜。其膜层不但牢固，而且能在射频化学气相沉积条件下承受高温不脱膜。

通过对磁场进行有限元分析，采用多极会切磁场设计和独特阳极设计，保证了考夫曼离子源较大的无场区，同时减小快速电子从会切点的逃逸；通过进行离子光学数值仿真，并经过多次正交实验，采用变孔，位移和发散场方法优化栅网尺寸，不但有较大离子流而且有较大的均匀性 。公司研制的考夫曼离子源克服了阳极不易清洗，离子流低的缺点，采用独特的气体绝缘器，即使在高压下，气体也不会击穿。