霍尔离子源具有低能大束流，能流密度较大，发射角也较大，适合较大面积的生产使用，使用成本低。

通过对霍尔离子源磁场进行有限元分析，采用磁场尖角发散场设计的同时,对气体放电进行MHD方程有限时域差分分析，并经过多次正交实验,优化了离子源结构,使离子源具有良好的放电特性，本公司研制的霍尔离子源具有离子能谱窄、离子均匀区宽、束流大等特点。

霍尔离子源现已在薄膜辅助沉积和表面处理中得到了日益广泛的应用，特别适用于薄膜沉积过程中的改性、表面清洗提高附着力、氧化物镀膜材料的充分氧化以及提高膜层致密性等方面。除此之外钝化表面、产生优选的晶体方向和激活表面的化学反应等方面，都有很好的应用前景