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    宽带半导体光电探测器

    价格: 面议

    供应商: 中科际联光电集成技术研究院有限公司

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    交付周期: 面议

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    该产品具有大带宽、高饱和输入的特点,已应用于雷达、电子对抗等国家任务。型号A兼容美国Finisar产品,可进行原位替代。型号B采用集成小型化技术进行设计,结构紧凑。


    性能特点

    ■ 高带宽

    ■ 抗辐照

    ■ 高饱和输入功率

    ■ 对国外产品原位替代


    典型应用

    ■ 空间站

    ■ 电子对抗

    ■ 分布式雷达

    ■ 微波光子


    主要参数

    Parameter  Min Typ Max Unit
    3dB带宽 18 25 40 GHz
    射频增益 / 20 25 dB
    幅度平坦度 / ±1 ±1.5 dB
    反射系数 / -10 -8 dB
    饱和输入光功率 / 10 13 dBm
    响应度 / 0.8 1 A/W
    工作温度 -40 25 70
    抗辐照总剂量 / 30 50 krad


    注意事项

    • 高于额定最大电压很可能造成设备永久性损坏或性能下降。请勿在未通电工作状态下接入光源,以免设备损坏;
    • 本产品属于静电敏感器件,为防止静电放电引起的设备损坏,请在包装、运输、操作或安装本产品过程中,严格遵守防静电保护措施(ESD)。也要注意来自电源的浪涌冲击,以免造成永久性损伤;
    • 尾纤易折断,不要拉抻弯折。操作或安装本产品时,不要拉抻挤压尾部套管。对管脚进行焊接时,焊接温度不要超过260℃,焊接时间不得超过10分钟,在焊接过程中器件应处于不带电状态,电烙铁保持良好接地。
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